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J-GLOBAL ID:200903090149661896
常温接合装置及び方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
青山 葆 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000233259
Publication number (International publication number):2002050861
Application date: Aug. 01, 2000
Publication date: Feb. 15, 2002
Summary:
【要約】【課題】 常温接合を利用して電子部品を回路形成体に接合する接合体を安定した品質で大量生産することができる常温接合装置及び方法及び常温接合された接合体を提供する。【解決手段】 密閉されたチャンバー13内にICチップ1と基板2とを搬入したのち、チャンバーの酸素濃度を低下させた状態で、ICチップ1の電極3又は基板2上の接続電極4の表面をエネルギー波により活性化したのち、両者を接合する。
Claim (excerpt):
接合対象となる回路形成体(2)の電気的接続部(4)又は電子部品(1,121)の電気的接続部(3)の酸化を防止する接続部酸化防止雰囲気室(6)に対して上記回路形成体又は上記電子部品を搬入搬出する搬送装置(5,5A,5B,30,50A,50B)と、上記接続部酸化防止雰囲気室内にて上記電子部品の上記電気的接続部と該電気的接続部に接続されるべき上記回路形成体の上記電気的接続部との少なくともいずれか一方の表面をエネルギー波により活性化する接続部活性化装置(7,35,56)と、その後、接続部酸化防止雰囲気中で上記電子部品と上記回路形成体とを常温で接合させて、上記電子部品の電気的接続部と上記回路形成体の電気的接続部とを電気的に接続させる接合装置(8,36,57)とを備えるようにしたことを特徴とする常温接合装置。
IPC (2):
H05K 3/34 507
, B08B 7/00
FI (2):
H05K 3/34 507 E
, B08B 7/00
F-Term (10):
3B116AA46
, 3B116AB42
, 3B116BC01
, 5E319AA03
, 5E319AB05
, 5E319AC17
, 5E319BB09
, 5E319BB10
, 5E319CC46
, 5E319CD04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (16)
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特開平4-220169
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特開平4-220169
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特開平3-081077
-
特開平3-171643
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シリコンウェハーの常温接合法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-268028
Applicant:工業技術院長
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バンプ構造体及びバンプ構造体形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-305334
Applicant:日本電気株式会社
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特開平4-220169
-
特開平3-081077
-
特開平3-171643
-
特開平4-220169
-
特開平3-081077
-
特開昭62-282789
-
特開昭63-101085
-
電子回路接合方法および電子回路装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-114631
Applicant:株式会社日立製作所
-
インナ-リ-ドボンディング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-144720
Applicant:株式会社東芝
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特開平3-081077
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