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J-GLOBAL ID：200903090174076701

スパッタリングによる成膜方法、及び該成膜方法を用いる光起電力素子の製造方法

Inventor：
中山 明哉

About 中山 明哉


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000164654
Publication number (International publication number)：2001342555
Application date： Jun. 01, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】長時間にわたるスパッタ成膜においても安定で良好な成膜が可能となり、所望の反射率を有する反射膜を安定して成膜することができ、加工性及び耐久性に優れ、安定して高い光電変換効率を達成することが可能なスパッタリングによる成膜方法、及び該成膜方法を用いる光起電力素子の製造方法を提供する。【解決手段】成膜室内にスパッタリングガスを導入して基板上に膜を成膜するスパッタリングによる成膜方法において、前記成膜室内における雰囲気中のH2O分圧を所定の条件に調整することによって、所定の反射率を有する反射層を前記基板上に成膜する。
Claim (excerpt)：
成膜室内にスパッタリングガスを導入して基板上に膜を成膜するスパッタリングによる成膜方法において、前記成膜室内における雰囲気中のH2O分圧を所定の条件に調整することによって、所定の反射率を有する反射層を前記基板上に成膜することを特徴とするスパッタリングによる成膜方法。
IPC (6)：
C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  H01L 31/04 ,  H01B 13/00 503
FI (11)：
C23C 14/06 R ,  C23C 14/08 A ,  C23C 14/08 C ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/08 E ,  C23C 14/14 B ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/34 M ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M
F-Term (33)：
4K029AA02 ,  4K029AA25 ,  4K029AA29 ,  4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA04 ,  4K029BA08 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA48 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD01 ,  4K029BD09 ,  4K029CA05 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029FA09 ,  4K029JA10 ,  4K029KA01 ,  5F051CB15 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA18 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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