窒化物半導体基板、及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001195389
Publication number (International publication number)：2003063895
Application date： Jun. 27, 2001
Publication date： Mar. 05, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】酸化およびゴミの付着による汚染を抑制することにより結晶性が良好であり、かつ低転位である窒化物半導体基板、及びその成長方法を提供する。【解決手段】基板1上に、第1の窒化物半導体2を成長させ、第1の窒化物半導体2に凹凸を形成する工程と、気相成長させる反応装置内において、第1の窒化物半導体2の凹部に空洞を形成し、第1の窒化物半導体2上に第2の窒化物半導体3を形成させる工程とを有する窒化物半導体基板の成長方法とする。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化物半導体層を有する窒化物半導体基板であって、基板上に、部分的に断面形状が凸型である空洞と、該凸型空洞の両横側に窒化物半導体核とを有し、該窒化物半導体核を成長起点とする窒化物半導体層の表面には転位密度1×107個/cm2以下の低転位領域を有することを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (5)：

C30B 29/38 , C30B 25/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/343 610

FI (5)：

C30B 29/38 D , C30B 25/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/343 610

F-Term (37)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BE11 , 4G077DB08 , 4G077EE05 , 4G077EF03 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 4G077TC17 , 5F041AA43 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F045AA05 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045EE17 , 5F045HA02 , 5F045HA12 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB20 , 5F073CB22 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-301158 Applicant：日本電気株式会社
窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-218122 Applicant：日亜化学工業株式会社
III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-071351 Applicant：豊田合成株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

PENDEO-EPITAXY A NEW APPROACH FOR LATERAL GROWTH OF GALLIUM NITRIDE STRUCTURES

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