半導体光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000031041
Publication number (International publication number)：2001077458
Application date： Feb. 08, 2000
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体光素子の非発光の原因となる欠陥の増殖を抑制することにより、寿命が長くかつ信頼性の高い半導体光素子の提供を目的とする。【解決手段】 p型半導体基板101上に、活性領域である半導体として、p型クラッド層102,光ガイド層104a,活性層103,光ガイド層104b,n型クラッド層105及びn型コンタクト層106を順に形成し、さらに、結合エネルギーの大きいデバイス保護層107を形成することによって、非発光の点欠陥が拡散および増殖することを抑制し、高出力動作を長時間にわたり行なうことができ、長寿命かつ信頼性の高い半導体光素子1を提供することができる。

Claim (excerpt)：

活性領域である半導体と、この半導体の表面の一部に光入出力部を有する半導体光素子において、この光入出力部を除く前記半導体の表面の少なくとも一部を覆うデバイス保護層を備え、このデバイス保護層は、前記半導体に点在する非発光の点欠陥の拡散を抑制する結合エネルギーが、前記半導体の結合エネルギーより大きいことを特徴とする半導体光素子。

IPC (2)：

H01S 5/028 , H01S 5/327

FI (2)：

H01S 5/028 , H01S 5/327

F-Term (10)：

5F073AA05 , 5F073AA22 , 5F073AA45 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CA22 , 5F073CB10 , 5F073DA06 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-106695 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-142224 Applicant：ローム株式会社
光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-042364 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (6)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-106695 Applicant：松下電器産業株式会社
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光半導体装置
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