パルス研磨技術を用いた薄い材料の化学機械研磨

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996524253
Publication number (International publication number)：1998513121
Application date： Jan. 11, 1996
Publication date： Dec. 15, 1998
Summary：

【要約】均一な化学機械平坦化は、平坦化されるウェハに与えられる圧力を初期の最適の圧力と好ましくは約0psiである減じられた第2の圧力との間でパルス状に与えることによって高速の材料除去速度において達成される。

Claim (excerpt)：

ウェハの表面が平坦化される半導体装置を製造する方法であって、ウェハに第1の圧力を与えながら、平坦化を行なうために表面を化学機械研磨するステップと、化学機械研磨の間第1の圧力を第2の圧力へ断続的に複数回減ずるステップとを含む方法。

IPC (3)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (3)：

B24B 37/00 B , H01L 21/304 622 R , H01L 21/304 622 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (53)

特開平2-040917
特開平2-040917
特開平1-171763

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