脱ハロゲン化物の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村暁秀 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998309968
Publication number (International publication number)：2000136151
Application date： Oct. 30, 1998
Publication date： May. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】新規な光触媒及び還元力の優れた光触媒を提供し、ハロゲン化物を最終的に燃焼処理になんら支障のない有機化合物まで導くのに十分な、光還元反応を誘導する。【解決手段】本発明では、ハロゲン化物から脱ハロゲン化物を得るにあたり、前記ハロゲン化物と、光触媒としての、ポリパラフェニレン等の有機化合物半導体、硫化カドミウム以外の金属硫化物又は1nm〜30nmの平均粒径を有するナノサイズ微粒子の化合物半導体と、電子源とに光を照射することによって、前記ハロゲン化物を脱ハロゲン化し、前記ハロゲン化物を水素化する。また、本発明では、電子源として有機アミンを用いれば、有機化合物半導体、無機化合物半導体、硫化カドミウムを含む金属硫化物等の化合物半導体を粒径サイズに関わらず光触媒として用いることができる。

Claim (excerpt)：

ハロゲン化物から脱ハロゲン化物を得るにあたり、前記ハロゲン化物と、光触媒としての有機化合物半導体と、電子源とに光を照射することによって、前記ハロゲン化物を脱ハロゲン化し、前記ハロゲン化物を水素化することを特徴とする、脱ハロゲン化物の製造方法。

IPC (8)：

C07B 35/06 , A62D 3/00 ZAB , B01J 19/00 , B01J 27/04 , B01J 31/06 , B01J 35/02 , C07B 61/00 , C07B 61/00 300

FI (9)：

C07B 35/06 , A62D 3/00 ZAB , B01J 19/00 Z , B01J 27/04 Z , B01J 31/06 Z , B01J 35/02 J , B01J 35/02 H , C07B 61/00 D , C07B 61/00 300

F-Term (34)：

2E191BA12 , 2E191BC01 , 2E191BD13 , 2E191BD17 , 4G069AA02 , 4G069BA22A , 4G069BA22B , 4G069BA48A , 4G069BB09A , 4G069BB09B , 4G069BC35B , 4G069BE02A , 4G069BE02B , 4G069BE14A , 4G069BE21A , 4G069BE37A , 4G069BE37B , 4G069BE38A , 4G069CB02 , 4G069CB66 , 4G069DA05 , 4G069EB18Y , 4G069EB19 , 4G069ED10 , 4G075AA13 , 4G075BA05 , 4G075CA33 , 4H006AA02 , 4H006AC13 , 4H006BA95 , 4H006BJ50 , 4H006FC50 , 4H039CA20 , 4H039CG20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ハロゲン化炭化水素分解法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-152640 Applicant：科学技術庁金属材料技術研究所長
特開昭61-191501
半導体を利用した難分解性多ハロゲン化有機化合物の低温光触媒分解法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-071684 Applicant：岡山県

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