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J-GLOBAL ID:200903090724211601

電子ビーム検査方法および装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井島 藤治 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000015921
Publication number (International publication number):2001210689
Application date: Jan. 25, 2000
Publication date: Aug. 03, 2001
Summary:
【要約】【課題】 吸収電流を用い、高い精度で半導体デバイス製造過程で形成されたCHなどのホール状の検査を行うことができる電子ビーム検査方法および装置を実現する。【解決手段】 検査に必要な試料照射電流量、平行度を有して試料18に入射した一次電子ビームEBは、検査時には、上段偏向器19により偏向され、対物レンズ17の中心軸外に入射し、対物レンズ17により収束作用を受けると共に、試料8面上の対物レンズ中心軸上に偏向される。レンズ制御装置21は、一次電子ビームEBが試料18面上で対物レンズ17の中心軸上に照射されるように対物レンズ17の強度を制御する。以上の条件で、一次電子ビームEBを走査することで、試料面上の所定位置に常に電子ビームが照射され、試料18に対する電子ビームの入射角度が連続的に走査される。
Claim (excerpt):
ホールを有した試料に所定の断面積を有し平行な一次電子ビームを照射し、この一次電子ビームの試料上の照射位置を固定した状態で試料への一次電子ビームの入射角を走査し、この走査にともなって得られた試料の吸収電流を検出するようにした電子ビーム検査方法。
IPC (4):
H01L 21/66 ,  H01J 37/147 ,  H01J 37/28 ,  G01B 15/00
FI (4):
H01L 21/66 P ,  H01J 37/147 B ,  H01J 37/28 B ,  G01B 15/00 B
F-Term (25):
2F067AA22 ,  2F067AA33 ,  2F067AA54 ,  2F067AA57 ,  2F067BB04 ,  2F067BB08 ,  2F067CC00 ,  2F067CC17 ,  2F067HH06 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK06 ,  2F067KK08 ,  2F067LL02 ,  2F067QQ02 ,  4M106AA02 ,  4M106AA12 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB01 ,  4M106DB11 ,  4M106DJ23 ,  5C033FF03 ,  5C033NN07 ,  5C033UU01 ,  5C033UU04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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