ドライエッチング方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999210613
Publication number (International publication number)：2001044174
Application date： Jul. 26, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】プラズマ放電により分解された臭化水素を用いたITOのドライエッチングにおいて、高真空状態でエッチングした場合であっても、エッチングマスクに対して高い選択比が得られるドライエッチング方法を提供する。【解決手段】臭化水素ガスにCF系ガスを添加することにより、ITOのエッチング中に、エッチングマスク上に有機物の保護膜を堆積させることができ、高真空状態でエッチングした場合であっても、かかる保護膜がエッチングマスクを保護し、高いエッチング選択比が得られる。

Claim (excerpt)：

臭化水素ガスをプラズマ放電により分解し、分解された該臭化水素を用いてITOをエッチングするドライエッチング方法であって、該臭化水素ガスに、炭素及び弗素を含むガスを添加することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , G02F 1/1343 , H01L 31/04

FI (4)：

H01L 21/302 F , C23F 4/00 F , G02F 1/1343 , H01L 31/04 M

F-Term (24)：

2H092MA18 , 2H092NA29 , 4K057DA13 , 4K057DB11 , 4K057DD01 , 4K057DE06 , 4K057DE11 , 4K057DM05 , 4K057DM17 , 4K057DM28 , 4K057DM31 , 4K057DN01 , 5F004AA04 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA16 , 5F004DB31 , 5F004EA13 , 5F051CB22 , 5F051CB27 , 5F051FA02 , 5F051FA30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

乾式プロセスガス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-111345 Applicant：三井化学株式会社
パターニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-157215 Applicant：三菱マテリアル株式会社
酸化スズインジウムの反応性イオンエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-005825 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

Show all

Cited by examiner (4)

乾式プロセスガス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-111345 Applicant：三井化学株式会社
パターニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-157215 Applicant：三菱マテリアル株式会社
酸化スズインジウムの反応性イオンエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-005825 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

Show all

Return to Previous Page