シリカ系被膜及びその形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：阿形明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998144807
Publication number (International publication number)：1999340219
Application date： May. 26, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体素子の製造において使用される平坦化膜や層間絶縁膜などとして有用な誘電率の低いシリカ系被膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】ポリアルコキシシラン化合物の塩基性加水分解縮合生成物焼成体からなる半導体素子用シリカ系被膜であり、ポリアルコキシシラン化合物を有機溶剤中で塩基性触媒により加水分解縮合して得た塗布液を、基板上に塗布し、乾燥したのち、350°C以上に加熱し、焼成することによって形成する。

Claim (excerpt)：

ポリアルコキシシラン化合物の塩基性加水分解縮合生成物焼成体からなる半導体素子用シリカ系被膜。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01B 3/46 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/316 G , H01B 3/46 E , H01L 21/90 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-299684 Applicant：触媒化成工業株式会社
特開平3-008709
特開平3-363476

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