高温動作ダイヤモンドトランジスタ装置及びこれを用いた温度計、増幅器

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006055565
Publication number (International publication number)：2007234911
Application date： Mar. 01, 2006
Publication date： Sep. 13, 2007
Summary：

【課題】高温下で動作するダイヤモンド半導体を使用して、高温下でも冷却装置を設けることなく動作させることができるダイヤモンドトランジスタ及びそれを使用した高温動作デバイスを提供する。【解決手段】ダイヤモンド電界効果トランジスタ1はソース・ドレインとして、ボロンドープのダイヤモンド層3a、3bを使用し、チャネルとしてアンドープダイヤモンド層5を使用し、更に、ダイヤモンド層5上のゲート絶縁膜9上にゲート電極10が設けられている。このとき、ドレイン電流をId、絶対温度をT(K)、電界効果トランジスタ及びバイアス条件により決まる定数をa0、a1、ボルツマン定数をkB(1.38×10-23J/K)とすると、Id=a0・exp{-a1/(kB・T)}を満足する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド基板と、この基板上に局所的に形成された第1及び第2のダイヤモンド層と、前記第1及び第2のダイヤモンド層よりも不純物濃度が低く前記第1及び第2のダイヤモンド層間に設けられたチャネル領域としての第3のダイヤモンド層と、前記第1のダイヤモンド層上に形成されたソース電極と、前記第2のダイヤモンド層上に形成されたドレイン電極と、前記第3のダイヤモンド層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有することを特徴とする高温動作ダイヤモンドトランジスタ装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , G01K 7/01

FI (4)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 301T , G01K7/00 391M , G01K7/00 391S

F-Term (22)：

5F140AA00 , 5F140AA37 , 5F140AC07 , 5F140AC31 , 5F140BA01 , 5F140BA04 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD11 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BG30 , 5F140BH21 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK29 , 5F140CE05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体温度センサーとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-235583 Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
トランジスタの温度を用いてバイアス制御する高周波電力増幅器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-195455 Applicant：日本アビオニクス株式会社

Cited by examiner (4)

ダイヤモンド半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-415041 Applicant：株式会社神戸製鋼所
半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-243263 Applicant：株式会社神戸製鋼所
温度補償回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-292215 Applicant：三菱電機株式会社

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