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J-GLOBAL ID：200903090939908050

電極の製造方法

Inventor：
寺口 信明

About 寺口 信明


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999110388
Publication number (International publication number)：1999340511
Application date： Jul. 19, 1994
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 p型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体に対して良好なオーミック接触が得られる電極構造とする。【解決手段】 水素を含み、アクセプタ不純物を含んだAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体層上に、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Yb、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Pdのいずれかにである水素貯蔵金属を堆積することで、半導体層/電極界面63においてコンタクト層として十分な高キャリア濃度が得られ、極めて小さいオーミック接触抵抗が実現できる。
Claim (excerpt)：
水素を含み、アクセプタ不純物を含んだAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体層上に、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Yb、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Pdのいずれかである水素貯蔵金属を堆積することを特徴とする電極の製造方法。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01S 3/18 624
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 H ,  H01S 3/18 624
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 窒化物系半導体素子およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211793   Applicant：旭化成工業株式会社
  • 半導体発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-135220   Applicant：旭化成工業株式会社
  • 発光ダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-222627   Applicant：旭化成工業株式会社
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