光センサ用ダイオード、これを用いた画像入力回路、および画像入力回路の駆動方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：三好秀和 , 三好保男 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 中村友之 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002281665
Publication number (International publication number)：2004119719
Application date： Sep. 26, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：

【課題】光センサ用ダイオードに光が照射されたときのリーク電流の発生を防止する。【解決手段】pin型の光センサ用ダイオードのi領域112に絶縁膜を介してゲート電極114を設けることにより、光センサ用ダイオードに電流が流れ始めるときのバイアス電圧の閾値をゲート電圧によって制御可能とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

p型不純物が注入されたp領域、n型不純物が注入されたn領域、前記p領域および前記n領域に対して不純物の濃度が低いi領域を備えた半導体層と、前記p領域に接続されたアノード電極と、前記n領域に接続されたカソード電極と、前記i領域に絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、を有することを特徴とする光センサ用ダイオード。

IPC (2)：

H01L31/10 , H01L27/146

FI (3)：

H01L31/10 A , H01L31/10 H , H01L27/14 C

F-Term (32)：

4M118AA05 , 4M118CA05 , 4M118CA07 , 4M118CA11 , 4M118CB07 , 4M118DB10 , 4M118DB15 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB12 , 4M118FB16 , 4M118HA26 , 5F049MA04 , 5F049MB03 , 5F049MB12 , 5F049NA04 , 5F049NA05 , 5F049NB05 , 5F049PA05 , 5F049QA01 , 5F049QA20 , 5F049RA04 , 5F049RA08 , 5F049RA10 , 5F049SE05 , 5F049SE11 , 5F049SE14 , 5F049SS01 , 5F049UA01 , 5F049UA05 , 5F049UA14 , 5F049UA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-291968
pin型半導体受光素子およびこれを含む半導体受光回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-283144 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平4-321272

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