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J-GLOBAL ID：200903091345923110

磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ

Inventor：
三谷 誠司

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薬師寺 啓

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エルヌ・フランク

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高梨 弘毅

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Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

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Agent (1)： 平山 一幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006218828
Publication number (International publication number)：2008047566
Application date： Aug. 10, 2006
Publication date： Feb. 28, 2008
Summary：
【課題】ナノ粒子のクーロンブロッケイドを利用する磁気抵抗効果素子でありながら、磁化の熱揺らぎの影響を受けずに室温で動作する、新規な磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリを提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子20は、強磁性固定層となる第1の強磁性層2と、トンネル電子のバリアとなる第1の絶縁層4と、トンネル電子のバリアとなる第2の絶縁層5と、強磁性自由層となる第2の強磁性層3と、非磁性層からなるスペーサ層6と、強磁性からなるスピン注入層7と、を順に積層してなり、第2の絶縁層5内に、粒径が約1.5nm以下の非磁性ナノ粒子1を埋め込み、非磁性ナノ粒子1が単一電子トンネル効果を生起し、強磁性自由層のスピン注入による磁化反転ができる。この磁気抵抗効果素子をメモリセルとすれば、高集積の不揮発性ランダムアクセス磁気メモリが得られる。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
強磁性固定層となる第1の強磁性層と、 トンネル電子のバリアとなる第1の絶縁層と、 トンネル電子のバリアとなる第2の絶縁層と、 強磁性自由層となる第2の強磁性層と、が順に積層されてなり、 上記第2の絶縁層内には、粒径が約1.5nm以下の非磁性ナノ粒子が埋め込まれ、 上記非磁性ナノ粒子が単一電子トンネル効果を生起することを特徴とする、磁気抵抗効果素子。
IPC (5)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 29/66
FI (4)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L29/66 S
F-Term (26)：
4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD10 ,  4M119DD42 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5F092AA08 ,  5F092AB07 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC14 ,  5F092BC34 ,  5F092BC39 ,  5F092BC46
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (4)
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