剥離ウェーハの再生加工方法及びこの方法により再生加工された剥離ウェーハ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須田正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005341397
Publication number (International publication number)：2007149907
Application date： Nov. 28, 2005
Publication date： Jun. 14, 2007
Summary：

【課題】イオン注入剥離法において副産物として生成される剥離ウェーハに再生加工処理を施して酸素析出核又は酸素析出物を消滅させ、HF欠陥の発生が抑制された歩留まりの良いSOIウェーハを作製するSOI層用ウェーハとして、何度も再利用する再生加工処理された剥離ウェーハを提供する。【解決手段】剥離ウェーハの再生加工方法は、イオン注入剥離法によって貼合せSOIウェーハ10を製造する際に副産物として得られる剥離ウェーハ11bに再生加工を施して貼合せSOIウェーハ10のSOI層用ウェーハ11として再利用する再生加工方法において、剥離ウェーハ11bを酸素を含む酸化雰囲気下で急速加熱した後、一定時間保持し続いて急速冷却処理を行う工程と、剥離ウェーハ11b表面を鏡面研磨する工程とを含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

イオン注入剥離法によって貼合せSOIウェーハを製造する際に副産物として得られる剥離ウェーハ(11b)に再生加工を施して貼合せSOIウェーハ(10)のSOI層用ウェーハ(11)として再利用する再生加工方法において、剥離ウェーハ(11b)を酸素を含む酸化雰囲気下で急速加熱した後、一定時間保持し続いて急速冷却する工程と、前記剥離ウェーハ(11b)表面を鏡面研磨する工程とを含む剥離ウェーハの再生加工方法。

IPC (2)：

H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (2)：

H01L21/02 B , H01L27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

剥離ウエーハの再生処理方法及び再生処理された剥離ウエーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-338137 Applicant：信越半導体株式会社, エスオーアイテックシリコンオンインシュレータテクノロジーズ

Cited by examiner (4)

シリコンウエーハの再生方法及び再生ウエーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-327704 Applicant：三益半導体工業株式会社
SOIウエーハおよびSOIウエーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-102698 Applicant：信越半導体株式会社
剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-131351 Applicant：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社

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