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J-GLOBAL ID：200903091678329135

半導体素子

Inventor：
田中 素之

About 田中 素之

, 
曽我部 浩一

About 曽我部 浩一


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 山本 正緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004313546
Publication number (International publication number)：2005117053
Application date： Oct. 28, 2004
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：
【課題】 III-V族窒化物と格子定数及び熱膨張係数が整合した基板を用い、その基板上に結晶性の良好なIII-V族窒化物単結晶膜を成長させた発光素子やダイオード等の半導体素子を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの混晶から選ばれた少なくとも1種のIII-V族窒化物単結晶膜12、14、15が、窒化アルミニウム単結晶基板11上に直接形成されるか、又は少なくとも1種のIII-V族窒化物の低温成長バッファー層13を介して形成されている半導体素子であり、連続発振が可能な短波長の発光素子や高温で動作するダイオード等として有用である。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
窒化アルミニウム単結晶基板と、該基板上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも1種のIII-V族窒化物の単結晶膜とを備えることを特徴とする半導体素子。
IPC (4)：
H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L29/861 ,  H01S5/343
FI (4)：
H01L33/00 C ,  H01L21/20 ,  H01S5/343 610 ,  H01L29/91 F
F-Term (18)：
5F041AA32 ,  5F041CA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041FF16 ,  5F052KA01 ,  5F052KA02 ,  5F052KA05 ,  5F173AA21 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP62 ,  5F173AP82 ,  5F173AR82
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特開昭64-42813号公報
Cited by examiner (6)
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