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J-GLOBAL ID：200903091781253465

窒化物半導体層の形成方法

Inventor： 荒木 正浩 ,  山本 三郎 ,  只友 一行 ,  星野 勝之
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  国立大学法人山口大学
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006230346
Publication number (International publication number)：2008053594
Application date： Aug. 28, 2006
Publication date： Mar. 06, 2008
Summary：

【課題】サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる。【解決手段】窒化物系半導体層の形成方法は、サファイア基板の一主面を窒化処理し、その窒化処理された基板面上に第1の成長条件によって第1の窒化物半導体層を結晶成長させ、その第1の成長条件と異なる第2の成長条件によって第1の窒化物半導体層上に第2の窒化物半導体層を結晶成長させることを特徴としている。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

サファイア基板の一主面を窒化処理し、 前記窒化処理された前記主面上に第1の成長条件によって第1の窒化物半導体層を結晶成長させ、 前記第1の成長条件と異なる第2の成長条件によって前記第1の窒化物半導体層上に第2の窒化物半導体層を結晶成長させることを特徴とする窒化物半導体層の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38

FI (2)：

H01L21/205 ,  C30B29/38 D

F-Term (26)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077DB11 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 金属・有機化学気相成長によって成長した非極性a平面窒化ガリウム薄膜
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-586402   Applicant：ザリージェントオブザユニバーシティオブカリフォルニア

Cited by examiner (3)

• III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-111932   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物半導体ウエハーの製造方法および窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-142675   Applicant：松下電子工業株式会社
• 窒化物系半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-238226   Applicant：三星電機株式会社