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J-GLOBAL ID：200903051774327923

窒化物系半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：三好秀和 , 伊藤正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005238226
Publication number (International publication number)：2006128626
Application date： Aug. 19, 2005
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】より単純な工程によりシリコン基板上にGaN層を容易に形成し、且つクラックの発生を充分に抑制することが可能な窒化物系半導体装置の製造方法及びこれによる窒化物系半導体装置を開示する。【解決手段】本発明による窒化物系半導体装置の製造方法は、基板上に高温AlN単結晶層を成長させる段階と、上記AlN単結晶層上に300 Torr以上である第1圧力において支配的な成長方向が側方向になるよう第1V/III比で第1GaN層を成長させる段階と、上記第1窒化物層上に上記第1圧力より低い第2圧力において上記第1V/III比より低い第2V/III比で第2GaN層を成長させる段階とを含む。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板上に高温AlN単結晶層を成長させる段階と、上記AlN単結晶層上に300Torr以上である第1圧力において支配的な成長方向が側方向になるよう第1V/III比で第1GaN層を成長させる段階と、上記第1GaN層上に上記第1圧力より低い第2圧力において上記第1V/III比より低い第2V/III比で第2GaN層を成長させる段階とを含む窒化物系半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/34

FI (2)：

H01L21/205 , C23C16/34

F-Term (32)：

4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 4K030LA18 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF14 , 5F045BB13 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045EE12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

III族窒化物系化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-315193 Applicant：豊田合成株式会社
窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-085126 Applicant：シャープ株式会社
窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-054387 Applicant：シャープ株式会社, 学校法人立命館

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