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J-GLOBAL ID：200903092132421070

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリ

Inventor：
細見 政功

About 細見 政功


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 角田 芳末 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001162856
Publication number (International publication number)：2002359412
Application date： May. 30, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリにおいて、磁気抵抗変化量を高める。【解決手段】 少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層4と、固定層2と、この固定層の磁化を固定する反強磁性層1と、自由層4と固定層2との間に介在される非磁性層3とが積層された積層構造部10を有し、この積層構造部10に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とする構成とし、その積層構造部に、センス電流の通路を横切る高抵抗層Rが配置された構成として、素子抵抗の増加を図り、磁気抵抗変化量を高める。
Claim (excerpt)：
少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部を有し、該積層構造部に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とする巨大磁気抵抗効果素子であって、上記積層構造部に、上記センス電流の通路を横切る高抵抗層が配置されて成ることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (7)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105
FI (8)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R
F-Term (14)：
2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034BB08 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA30 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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