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J-GLOBAL ID：200903092258916465

フィールドアイソレーションを備えた半導体装置および該装置の形成方法

Inventor：
ジョージ・アール・メイヤー

About ジョージ・アール・メイヤー


Applicant, Patent owner：
モトローラ・インコーポレイテッド

About モトローラ・インコーポレイテッド


Agent (1)： 池内 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996110163
Publication number (International publication number)：1996288380
Application date： Apr. 05, 1996
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：
【要約】【課題】 同じ装置上に狭いおよび広いフィールドアイソレーション領域のための平坦なフィールドアイソレーション構造を的確に形成できるようにする。【解決手段】 狭いおよび広い、平坦なフィールドアイソレーション領域72,74,152,172,182が基板10内にトレンチ52,54を形成することによって形成される。広い平坦なフィールドアイソレーション領域に対しては、トレンチ52はフィールドアイソレーション領域内に少なくとも1つのメサ部76,150,170,180を規定する。前記トレンチは材料62で満たされ平坦なフィールドアイソレーション領域を形成するため研磨またはエッチングされ、広い平坦なフィールドアイソレーション領域はメサ部76,150,170,180を含む。エッチングを使用でき、またはたとえあるにせよ最小のディッシングで研磨することができ、それはトレンチの幅が比較的狭いからである。
Claim (excerpt)：
半導体装置(130)であって、第1の高さに横たわる表面を有する部品領域(80,90)、そしてフィールドアイソレーション領域(72)であって、前記部品領域(80,90)に隣接して横たわるトレンチ(52)、前記第1の高さより低くない第2の高さで横たわる表面を有するメサ部(76)、および前記トレンチ(52)内に横たわる充填材料(62)であって、該充填材料は前記メサ部(76)および前記部品領域(80,90)の間に横たわっているもの、を含む前記フィールドアイソレーション領域(72)、を具備することを特徴とする半導体装置(130)。
IPC (2)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/316
FI (2)：
H01L 21/76 L ,  H01L 21/94 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
  • 半導体集積回路及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-219801   Applicant：株式会社日立製作所
  • 特開平1-235245
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-170583   Applicant：ソニー株式会社
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