半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994163484
Publication number (International publication number)：1996031937
Application date： Jul. 15, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】ホットキャリア耐性を劣化させることなく、フロー形状に優れたO3-TEOS CVDSiO2膜を用いることのできる半導体装置を提供する。【構成】シリコン基板11上に、ゲート酸化膜12、ゲート電極13を形成した後、LP-Si3N4膜15を形成し、その上にO3-TEOS CVDSiO2膜16を形成する。このような構造にすることにより、O3-TEOS CVDSiO2膜16から拡散する水分をLP-Si3N4膜15がブロックし、ゲート酸化膜12に水分が侵入するのを防止できる。このため、ホットキャリア耐性を劣化させることなく、平坦化を達成することが可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板に素子が形成され、該素子の電極上にO3-TEOS CVDSiO2膜が形成された半導体装置において、前記ゲート電極と前記O3-TEOS CVDSiO2膜との間に、LP-Si3N4膜が介在されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/90 M , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-195386 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-050745 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体素子の構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-149389 Applicant：沖電気工業株式会社

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