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J-GLOBAL ID：200903092811598027

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
好田 慎一

About 好田 慎一


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (3)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  皆川 祐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008224997
Publication number (International publication number)：2009081428
Application date： Sep. 02, 2008
Publication date： Apr. 16, 2009
Summary：
【課題】チップ形状を安定化して歩留まりを向上することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体基板1上にAlGaN層を含むn型半導体層11、Inを含む発光層10およびp型半導体層12が順に積層形成されたウエハ5に対して、切断予定ライン7に沿ってp型半導体層12側から選択的にエッチングを施すことにより、AlGaN層14を切断予定ライン7に沿って露出させるエッチング溝30が形成される。この露出したAlGaN層14に、切断予定ライン7に沿う分割ガイド溝35が形成される。この分割ガイド溝35に沿ってウエハ5が分割されることにより、個別素子80が得られる。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
AlGaNよりも格子定数の大きなIII族窒化物半導体基板上にAlGaN層を含むn型半導体層、Inを含む発光層およびp型半導体層が順に積層形成された基板に対して、切断予定ラインに沿って前記p型半導体層側から選択的にエッチングを施すことにより、前記AlGaN層を前記切断予定ラインに沿って露出させる工程と、 前記露出したAlGaN層に、前記切断予定ラインに沿う分割ガイド溝を形成する工程と、 前記分割ガイド溝に沿って前記基板を分割する工程とを含む、半導体発光素子の製造方法。
IPC (2)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/301
FI (4)：
H01S5/343 610 ,  H01L21/78 S ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 V
F-Term (7)：
5F173AA08 ,  5F173AG17 ,  5F173AH22 ,  5F173AP33 ,  5F173AP93 ,  5F173AP95 ,  5F173AR93
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
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