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J-GLOBAL ID：200903092812219542

シリコンウェーハのIG処理法及びこれにより作られたIGウェーハ並びにこれに用いるシリコン単結晶インゴット

Inventor：
降屋 久

About 降屋 久

, 
鈴木 洋二

About 鈴木 洋二


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアルシリコン株式会社

About 三菱マテリアルシリコン株式会社


Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999227472
Publication number (International publication number)：2001053078
Application date： Aug. 11, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】 ウェーハの状態での熱処理回数が少なくて済み、900°C以下の熱処理で所望のIG効果を奏する。IG能力の高いIGウェーハを得る。このIGウェーハに適するシリコン単結晶インゴットを得る。【解決手段】 シリコン単結晶インゴットから切出された研削研磨した直後のシリコンウェーハを室温から800〜900°Cまで10°C/分以上の昇温速度で急速加熱し、0.5〜30分間保持するIG処理法である。インゴットをシリコン融液からその全ての領域が空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域[P]からなるように引上げ、かつ引上げられた転位発生を伴わない酸素析出物を1×106〜1×1010個/cm3含むインゴットを室温〜650°Cの温度で0〜3時間保持し、更に700〜800°Cの温度で3〜10時間保持した後、室温まで冷却する。
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶インゴットから切出された研削研磨した直後のシリコンウェーハを室温から800〜900°Cまで10°C/分以上の昇温速度で急速加熱し、0.5〜30分間保持するシリコンウェーハのIG処理法であって、インゴット内で空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を[P]とするとき、前記シリコン単結晶インゴットをシリコン融液から全ての領域が前記パーフェクト領域[P]からなるように引上げ、かつ引上げられた前記インゴットを室温〜650°Cの温度で0〜3時間保持し、更に700〜800°Cの温度で3〜10時間保持した後、室温まで冷却することを特徴とするシリコンウェーハのIG処理法。
IPC (2)：
H01L 21/322 ,  C30B 29/06
FI (2)：
H01L 21/322 Y ,  C30B 29/06 A
F-Term (10)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF00 ,  4G077FB03 ,  4G077FE11 ,  4G077FE13 ,  4G077FG11 ,  4G077GA01 ,  4G077HA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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