窒素ド-プした低欠陥シリコン単結晶ウエ-ハおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999022919
Publication number (International publication number)：2000053497
Application date： Jan. 29, 1999
Publication date： Feb. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】制御幅が広く、制御し易い製造条件の下で、V-リッチ領域およびI-リッチ領域のいずれも存在しない、結晶全面に亙って極低欠陥密度であるN-領域からなるCZ法によるシリコン単結晶ウエーハを、高歩留り、高生産性を維持しながら製造する方法を提供する。【解決手段】 CZ法によってシリコン単結晶を育成する際に、窒素をドープしながら結晶全面がN-領域となる条件で引上げるシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。具体的には、引上げ速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°Cの間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG[°C/mm]で表した時、結晶中心から結晶周辺までの距離D[mm]を横軸とし、F/G[mm2 /°C・min]の値を縦軸として欠陥分布を示した欠陥分布図のN-領域内で結晶を引上げる場合において、窒素をドープしながら結晶を引上げる。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、窒素がドープされ、かつ、全面N-領域であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。

IPC (2)：

C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (2)：

C30B 29/06 502 H , H01L 21/208 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-158458 Applicant：住友シチックス株式会社
特開昭57-017497
シリコン単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-128062 Applicant：信越半導体株式会社

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