光半導体装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：吉武賢次 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001100930
Publication number (International publication number)：2002299690
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】製造コストの低減、製造時間の短縮、及び発光効率の低下防止が可能な光半導体装置を提供する。【解決手段】発光層12、13を有する発光素子の基板13側において、光が通過する部分にエッチングにより凹部14が形成されている。半導体基板13の表面上にコンタクト層、上部電極15が形成され、この表面上にレンズ21が形成されたレンズ部20が接着剤等によって接合される。従来のように基板にエッチングによりレンズを形成する替わりに、予め形成したレンズ部20を接合することで、製造コスト及び製造時間が縮小される。また半導体基板13の光の通過部分に凹部14が形成されているため、外囲器に実装した場合に発光層11、12に応力が印加されず、発光効率の低下が防止される。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一方に形成された発光層と、前記発光層に形成された電流拡散層を含む半導体層とを有し、前記半導体基板の他方の表面部分に凹部が形成された光半導体素子と、前記半導体基板の他方の表面上に接合され、前記発光層から出射された光を集光するレンズを含むレンズ部と、を備えることを特徴とする光半導体装置。

FI (2)：

H01L 33/00 M , H01L 33/00 A

F-Term (7)：

5F041AA03 , 5F041AA06 , 5F041CA12 , 5F041CA35 , 5F041CB04 , 5F041CB15 , 5F041EE17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開昭64-059970
特開平2-087687
特開昭63-301574

特開平4-361572

特開平3-109780

半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-157592 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

低いプロフィールを有する照明装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-526957 Applicant：テレダインライティングアンドディスプレイプロダクツインコーポレイテッド

画像読取装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-070850 Applicant：キヤノン株式会社

レンズ一体型半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-082087 Applicant：オムロン株式会社

特開昭51-099989

高効率で放射線を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-212134 Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, ブレイエ・ユニバージテイト・ブリュッセル

特開昭62-018076

光を送信しかつ/又は受信する半導体部材を製造する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-509299 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

一体化されたアライメント部材を備えた微小光学レンズ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-572699 Applicant：ブルー・スカイ・リサーチ

Show all

Return to Previous Page