半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005334502
Publication number (International publication number)：2007142196
Application date： Nov. 18, 2005
Publication date： Jun. 07, 2007
Summary：

【課題】比較的低温で作製でき、屈曲性のある樹脂基板上にも形成可能な半導体薄膜であって、キャリア濃度が低いとともに、ホール移動度が高く、また、エネルギーバンドギャップが大きい半導体薄膜、及びそのような半導体薄膜の製造方法、並びにそのような半導体薄膜を用いた、電界効果移動度とon-off比が高いとともに、漏れ電流の発生などの照射光による影響を小さくして、素子特性を向上させた薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】キャリア密度が10+17cm-3以下、ホール移動度が2cm2/V・sec以上、エネルギーバンドギャップが2.4eV以上となるように、酸化亜鉛と酸化錫を含有する非晶質膜を成膜した後に、酸化処理して透明半導体薄膜40を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛と酸化錫を含有する非晶質膜からなる半導体薄膜であって、比抵抗が10〜107Ωcmであることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (1)：

H01L29/78 618B

F-Term (30)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-274333 Applicant：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-059905 Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男
薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-081483 Applicant：富士ゼロックス株式会社

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Cited by examiner (2)

薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-081483 Applicant：富士ゼロックス株式会社
表示装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-401026 Applicant：三洋電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

Cited by examiner (3)

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