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J-GLOBAL ID：200903092982894040

SOI基板の研磨方法およびその装置

Inventor：
冨田 真一

About 冨田 真一


Applicant, Patent owner：
三菱住友シリコン株式会社

About 三菱住友シリコン株式会社


Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002176272
Publication number (International publication number)：2004022839
Application date： Jun. 17, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：
【課題】SOI層の層厚の面内均一性が向上するSOI基板の研磨方法およびその装置を提供する。【解決手段】終点研磨装置10は、終点研磨機10A、SOI膜厚測定器10Bを備え、終点研磨機10Aが枚葉研磨機18,CPU30,研磨圧力制御手段,研磨時間制御手段16,セット位置制御手段19を有する。研磨前のSOI層11の厚さデータに基づき、その中心部と外周部との厚み差、研磨前のSOI層11の全体厚の平均に応じ、層厚のばらつきが下がるよう研磨圧力、研磨時間を変更し、SOI層11の研磨量を制御する。結果、SOI層11の層厚の面内均一性が向上する。研磨機10Aは層厚測定手段14からのSOI層11の層厚データに基づく自動制御であるので、SOI基板間の層厚の均一性が改善する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
活性層と、これを裏面側から支持する支持基板用ウェーハとの間に埋め込み酸化膜が介在されたSOI基板を、前記活性層側から研磨してこの活性層を減厚するSOI基板の研磨方法において、 研磨前の前記活性層の中心部と外周部との厚み差、および、研磨前の該活性層の全体の厚みの平均値に応じて、研磨圧力、研磨時間を制御するSOI基板の研磨方法。
IPC (4)：
H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  B24B49/04
FI (5)：
H01L21/304 622W ,  H01L21/304 622R ,  B24B37/00 B ,  B24B37/04 D ,  B24B49/04 Z
F-Term (15)：
3C034AA08 ,  3C034AA13 ,  3C034BB93 ,  3C034CA04 ,  3C034CB04 ,  3C058AA07 ,  3C058AA12 ,  3C058AC02 ,  3C058BA02 ,  3C058BA05 ,  3C058BB03 ,  3C058BC01 ,  3C058CB01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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