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J-GLOBAL ID:200903092982894040
SOI基板の研磨方法およびその装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
安倍 逸郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002176272
Publication number (International publication number):2004022839
Application date: Jun. 17, 2002
Publication date: Jan. 22, 2004
Summary:
【課題】SOI層の層厚の面内均一性が向上するSOI基板の研磨方法およびその装置を提供する。【解決手段】終点研磨装置10は、終点研磨機10A、SOI膜厚測定器10Bを備え、終点研磨機10Aが枚葉研磨機18,CPU30,研磨圧力制御手段,研磨時間制御手段16,セット位置制御手段19を有する。研磨前のSOI層11の厚さデータに基づき、その中心部と外周部との厚み差、研磨前のSOI層11の全体厚の平均に応じ、層厚のばらつきが下がるよう研磨圧力、研磨時間を変更し、SOI層11の研磨量を制御する。結果、SOI層11の層厚の面内均一性が向上する。研磨機10Aは層厚測定手段14からのSOI層11の層厚データに基づく自動制御であるので、SOI基板間の層厚の均一性が改善する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
活性層と、これを裏面側から支持する支持基板用ウェーハとの間に埋め込み酸化膜が介在されたSOI基板を、前記活性層側から研磨してこの活性層を減厚するSOI基板の研磨方法において、
研磨前の前記活性層の中心部と外周部との厚み差、および、研磨前の該活性層の全体の厚みの平均値に応じて、研磨圧力、研磨時間を制御するSOI基板の研磨方法。
IPC (4):
H01L21/304
, B24B37/00
, B24B37/04
, B24B49/04
FI (5):
H01L21/304 622W
, H01L21/304 622R
, B24B37/00 B
, B24B37/04 D
, B24B49/04 Z
F-Term (15):
3C034AA08
, 3C034AA13
, 3C034BB93
, 3C034CA04
, 3C034CB04
, 3C058AA07
, 3C058AA12
, 3C058AC02
, 3C058BA02
, 3C058BA05
, 3C058BB03
, 3C058BC01
, 3C058CB01
, 3C058DA02
, 3C058DA17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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特開平3-228326
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特開平3-224249
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半導体ウェーハの研磨方法および研磨装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-050546
Applicant:三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
-
薄膜形成用研磨方法及び薄膜形成用研磨装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-045586
Applicant:ソニー株式会社
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研磨装置及び研磨方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-334745
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
-
半導体ウェーハの研磨装置および記録媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-247601
Applicant:三菱マテリアル株式会社
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