半導体層、これを用いる太陽電池、及びそれらの製造方法並びに用途

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000247635
Publication number (International publication number)：2001357899
Application date： Aug. 17, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】光エネルギー変換効率の高い太陽電池を得るための半導体層、これを用いる太陽電池、及びそれらの製造方法並びに用途を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、太陽電池に用いる半導体層であって、粒度分布に於いて、複数のピークを有する半導体粒子群から構成された半導体層、これを用いる太陽電池、及びそれらの製造方法並びに用途を確立することにより前記課題を解決する。

Claim (excerpt)：

太陽電池に用いる半導体層であって、粒度分布に於いて、複数のピークを有する半導体粒子群から構成された半導体層。

IPC (3)：

H01M 14/00 , H01L 29/04 , H01L 31/04

FI (3)：

H01M 14/00 P , H01L 29/04 , H01L 31/04 Z

F-Term (10)：

5F051AA14 , 5H032AA06 , 5H032AA10 , 5H032AS16 , 5H032CC14 , 5H032EE12 , 5H032EE16 , 5H032EE20 , 5H032HH01 , 5H032HH04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

光電変換素子用半導体膜および光電気化学電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-273742 Applicant：富士写真フイルム株式会社
光電変換素子、該素子の製造方法および多孔性酸化チタン半導体電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-001950 Applicant：株式会社リコー
光電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-274000 Applicant：株式会社東芝

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