微細加工用のパターンの形成方法およびこの方法を用いた微細加工方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大垣孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995143299
Publication number (International publication number)：1996339985
Application date： Jun. 09, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】工程が簡単でコストを低減でき、パターン精度も向上するような、微細加工用のパターンの形成方法、またこの方法を用いた微細加工方法を提供する。【構成】下地10上に、プラズマ重合により、ポリシランからなるポリシラン層15を設ける。次に、ポリシラン層15を大気中でDeep-UVを照射して選択露光することにより、このポリシラン層15の露光部分15aをポリシランからポリシロキサンに変化させる。次に、未露光部分15bのポリシラン層15に対し、HBrガスを用いて、プラズマエッチングを行うことにより除去し、露光部分15aをパターンとして残存させる。そして、このパターン15aをマスクとして用いてエッチングすることにより、下地10を微細加工する。

Claim (excerpt)：

下地上にポリシランからなるポリシラン層を設ける工程と、前記ポリシラン層を酸素含有雰囲気中で選択露光することにより、該ポリシラン層の露光部分を前記ポリシランからポリシロキサンに変化させる工程と、未露光部分のポリシラン層を、酸性ガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより除去する工程とを含むことを特徴とする微細加工用のパターンの形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , G03F 7/075 , G03F 7/36 , H01L 21/027 , H05H 1/46

FI (6)：

H01L 21/302 H , G03F 7/075 , G03F 7/36 , H05H 1/46 B , H01L 21/30 527 , H01L 21/30 569 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

エネルギー感受性材料及びそれらの使用法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-101637 Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-344686 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-085868 Applicant：関西日本電気株式会社

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