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J-GLOBAL ID：200903093093041651
半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 崇生 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001020395
Publication number (International publication number)：2002184801
Application date： Jan. 29, 2001
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】 耐熱性粘着テープにより封止工程での樹脂漏れを好適に防止しながら、しかも貼着したテープが一連の工程で支障を来たしにくい半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 耐熱性粘着テープ20を貼り合わせた金属製のリードフレーム10のダイパッド11c上に半導体チップ15をボンディングする搭載工程と、前記リードフレーム10の端子部11b先端と電極パッド15aとをボンディングワイヤ16で電気的に接続する結線工程と、封止樹脂17により半導体チップ側を片面封止する封止工程と、封止された構造物21を個別の半導体装置21aに切断する切断工程とを、少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、前記耐熱性粘着テープ20は、50〜250°Cにおける線熱膨張係数1. 0×10-5〜3. 0×10-5/Kの基材層と、厚さ10μm以下の粘着剤層とから構成されている。
Claim (excerpt)：
アウターパッド側に耐熱性粘着テープを貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド上に半導体チップをボンディングする搭載工程と、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する結線工程と、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止する封止工程と、封止された構造物を個別の半導体装置に切断する切断工程とを、少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、前記耐熱性粘着テープは、50〜250°Cにおける線熱膨張係数1. 0×10-5〜3. 0×10-5/Kの基材層と、厚さ10μm以下の粘着剤層とから構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/56 T
, H01L 23/50 R
5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061CB12
, 5F061EA03
, 5F067AA09
, 5F067AB04
, 5F067CC01
, 5F067CC08
, 5F067DE14
Cited by examiner (5)
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