基板処理方法および基板処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998286824
Publication number (International publication number)：1999340211
Application date： Oct. 08, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】プラズマ等を用いるエッチングや薄膜堆積などの基板処理において、所望のラジカル・イオンを所望の量だけ生成する。【解決手段】処理ガスとして、結合力の強いハロゲン原子(Fなど)と、結合力の弱いハロゲン原子(Iなど)の両者を含むガス(CFm In など)を使用し、これを弱い結合は解離するが強い結合は解離しない励起エネルギーを持つ励起手段により励起して処理を行う。励起手段としては電子線照射や光照射などの励起エネルギーの単色化が可能なもの、あるいはUHFプラズマ等の電子エネルギー分布が急峻なピークを持つプラズマが好適である。

Claim (excerpt)：

分子内に少なくとも第1のハロゲン元素と該第1ハロゲン元素よりも原子番号の大きい第2のハロゲン元素を含有するガスを用い、励起手段により前記ガス分子から第2のハロゲン元素を選択的に取り去った活性種を生成し、当該活性種を基板に照射することを特徴とする基板処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , C23C 16/08 , C23F 4/00 , H05H 1/46 , H01L 21/205

FI (5)：

H01L 21/302 F , C23C 16/08 , C23F 4/00 E , H05H 1/46 A , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

プラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-327618 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
特開昭58-046637
表面処理方法および表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-144862 Applicant：株式会社東芝

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