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J-GLOBAL ID：200903093419404709

半導体素子の製造方法

Inventor： 小泉 賢 ,  吉丸 正樹 ,  森 幸博 ,  福田 秀明
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社 ,  日本エー・エス・エム株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995212004
Publication number (International publication number)：1997064176
Application date： Aug. 21, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 SiOFからなる絶縁膜の吸湿性を低減し、信頼性の高い半導体素子を得る。【解決手段】 半導体集積回路の層間絶縁膜としてフッ素を含むシリコン酸化膜を用いる半導体素子の製造方法において、前記フッ素を含むシリコン酸化膜を形成する際に、ソースガス11〜13とは別に不活性ガス14を導入する。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路の層間絶縁膜としてフッ素を含むシリコン酸化膜を用いる半導体素子の製造方法において、前記フッ素を含むシリコン酸化膜を形成する際に、ソースガスとは別に不活性ガスを導入することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• シリコン酸化膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-331030   Applicant：東亞合成化学工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-045920   Applicant：富士通株式会社
• 絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-029137   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置のケイ素酸化膜の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-361193   Applicant：株式会社高純度化学研究所