半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004155881
Publication number (International publication number)：2005340423
Application date： May. 26, 2004
Publication date： Dec. 08, 2005
Summary：

【課題】薄型の半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体ウエハ1Wの主面の切断領域CRに配置されたテスト(TEG)用のボンディングパッド1LBt上面に切断線に沿って溝Sを形成した後、半導体ウエハ1Wの裏面側から前記半導体ウエハ1Wの内部に集光点を合わせてレーザ光LBを照射することにより、半導体ウエハ1Wの内部に切断線に沿って改質層PLを形成する。その後、テープ3aを引き伸ばし、そのテープ3aの伸びる力により、半導体ウエハ1Wを改質層PLを起点として切断し、個々の半導体チップ1Cに分割する。【選択図】図17

Claim (excerpt)：

(a)主面およびその反対面の裏面を持つ半導体ウエハを用意する工程、 (b)前記半導体ウエハの主面に、半導体素子を有する半導体チップを形成する工程、 (c)前記半導体ウエハの主面に、外周に枠体が設けられたテープを貼り付ける工程、 (d)前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研削した後、研磨する工程、 (e)前記半導体ウエハの主面の切断領域のパターンを認識する工程、 (f)前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記(e)工程の後、前記半導体ウエハの切断領域に沿って前記半導体ウエハの裏面から前記半導体ウエハの内部に集光点を合わせてレーザを照射し、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成し、この改質層により前記切断領域に沿って切断起点領域を形成する工程、 (g)前記テープを引き伸ばすことにより、前記切断起点領域を起点として前記半導体ウエハを切断し、前記半導体チップに分割する工程を有し、前記(c)工程の前に、前記半導体ウエハの主面の切断領域に形成された金属パターンに溝を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/18

FI (7)：

H01L21/78 B , B23K26/00 D , B23K26/18 , H01L21/78 X , H01L21/78 L , H01L21/78 Q , H01L21/78 S

F-Term (5)：

4E068AA03 , 4E068AD00 , 4E068AE00 , 4E068CF00 , 4E068DA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

レーザ加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-067276 Applicant：浜松ホトニクス株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-278736 Applicant：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-014373 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (7)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-278736 Applicant：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-014373 Applicant：日本電気株式会社
チップ製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-237397 Applicant：株式会社東京精密

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