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J-GLOBAL ID:200903093535302069 相補能動画素センサ・セル
Inventor:
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Applicant, Patent owner: Agent (1):
坂口 博 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998234088
Publication number (International publication number):1999121732
Application date: Aug. 20, 1998
Publication date: Apr. 30, 1999
Summary:
【要約】【課題】 画素セルのサイズが低減されるビデオ・イメージングのための能動画素セル素子を提供することである。【解決手段】 相補能動画素センサ・セル及びそれを形成及び使用する方法が提供される。相補能動画素センサ・セルが所与の光量子に対する有効信号を約2倍にする。本発明の素子は、衝突光子により生成される正孔を相補能動画素センサ・セル回路内で使用する。2つの能動画素センサ・セル回路、すなわちNFET回路及び相補PFET回路が形成され、フォトダイオードと一緒に使用される。NFET回路は電子電流を捕獲する。PFET回路は正孔電流を捕獲する。電流の合計は、類似のサイズのフォトダイオード領域を使用する従来の能動画素センサ回路の場合の約2倍である。
Claim (excerpt):
衝突する電磁気に応答して電荷を生成する光感応素子と、前記光感応素子に結合され、第1のタイプの生成電荷を前記光感応素子から引き出す第1の素子と、前記光感応素子に結合され、第2のタイプの生成電荷を前記光感応素子から引き出す第2の素子とを含む、能動画素センサ・セル。
IPC (2): FI (2):
H01L 27/14 A
, H01L 31/14 A
Patent cited by the Patent: Cited by examiner (3) -
特開昭50-156837
- 半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-300355
Applicant:ソニー株式会社
-
特開昭61-180475
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