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J-GLOBAL ID:200903093570829460

半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小川 信一 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994162451
Publication number (International publication number):1995082343
Application date: Jul. 14, 1994
Publication date: Mar. 28, 1995
Summary:
【要約】【目的】 難燃性、高温信頼性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物と半導体装置の提供。【構成】 エポキシ樹脂、硬化剤、充填剤、ブロム化合物、アンチモン化合物からなるエポキシ樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂がビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂を必須成分として含有し、かつ充填剤の割合が全体の87〜95重量%、前記ブロム化合物、アンチモン化合物の割合が、それぞれ全体の0〜0.3重量%であり、さらに調整した組成物の酸素指数が42%以上であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこのエポキシ樹脂組成物により半導体素子の一部または全部を封止した半導体装置。
Claim (excerpt):
エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、充填剤(C)、ブロム化合物(D)、アンチモン化合物(E)からなる樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂(A)が次の一般式(I)【化1】(式中、R1 〜R8 は水素原子、ハロゲン原子、または炭素数1〜4のアルキル基を示す。)で表される骨格を有するエポキシ樹脂(a)を必須成分として含有し、かつ前記充填剤(C)の割合が全体の87〜95重量%、前記ブロム化合物(D)の割合が全体の0〜0.3重量%、前記アンチモン化合物(E)の割合が全体の0〜0.3重量%であり、さらに調整した組成物の酸素指数が42%以上であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (5):
C08G 59/24 NHQ ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 NKT ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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