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J-GLOBAL ID：200903093610076606

研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法

Inventor：
田中 弘明

About 田中 弘明


Applicant, Patent owner：
田中 弘明

About 田中 弘明


Agent (1)： 田中 宏 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998125071
Publication number (International publication number)：1999315273
Application date： May. 07, 1998
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】シリコンウェーハや化合物ウェーハ等よりなる半導体基板の表面を酸化膜/窒化膜等で被覆したエッジ部分を研磨加工する研磨用組成物、その調整方法、およびその組成物を用いたエッジポリッシング加工方法を提供。【解決手段】平均一次粒子径8〜500nmの酸化珪素粒子1〜15重量%と、酸化物、窒化物又は炭化物からなる金属化合物の平均一次粒子径10〜3000nmの微粒子一種以上0.1〜10重量%を含み、pH8.3〜11.5のコロイド溶液である研磨用組成物、および該コロイド溶液が25°C酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.5の弱酸及び/または弱塩基を使用して、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基又は弱酸と弱塩基の組み合せを添加してpH8.3〜11.5で作用する緩衝溶液として調整された研磨用組成物、好ましくは25°C導電率が酸化珪素1重量%あたり25mS/m以上の研磨用組成物。
Claim (excerpt)：
平均一次粒子径が8〜500nmの酸化珪素粒子と、金属酸化物、金属窒化物および金属炭化物からなる群から選ばれた金属化合物の微粒子で平均一次粒子径が10〜3000nmのもののうち少なくとも一種を含む分散液であって、酸化珪素粒子の濃度が1〜15重量%、上記金属化合物の微粒子の濃度が0.1〜10重量%であり、かつ該分散液のpHが8.3〜11.5であることを特徴とする研磨用組成物。
IPC (4)：
C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 9/00 601 ,  H01L 21/304 622
FI (4)：
C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 E ,  B24B 9/00 601 H ,  H01L 21/304 622 D
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (8)
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