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J-GLOBAL ID：200903093740447479

光電変換素子、光電変換素子の製造方法、及び光電池

Inventor：
小野 三千夫

About 小野 三千夫


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001358090
Publication number (International publication number)：2003157914
Application date： Nov. 22, 2001
Publication date： May. 30, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 実用的な製造適性を有し、安価で、かつ変換効率及び耐久性に優れ、色素により増感された半導体微粒子を用いた光電変換素子及びその製造方法、ならびに該光電変換素子を用いた光電池を提供する。【解決手段】 導電性支持体上に、色素を吸着した半導体微粒子を含有してなる半導体微粒子含有層20、電荷輸送層30、及び対向電極40を有してなる光電変換素子であって、前記電荷輸送層がゲル電解質30からなり、前記対向電極が導電性樹脂40からなる光電変換素子、該光電変換素子を用いた光電池である。また、導電性支持体上に、前記半導体微粒子含有層と、前記電荷輸送層と、前記対向電極とを積層して順次組み上げる工程を有する光電変換素子の製造方法である。
Claim (excerpt)：
導電性支持体上に、色素を吸着した半導体微粒子を含有してなる半導体微粒子含有層、電荷輸送層、及び対向電極を有してなる光電変換素子であって、前記電荷輸送層がゲル電解質からなり、前記対向電極が導電性樹脂からなることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2)：
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (15)：
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051FA03 ,  5F051FA10 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB10 ,  5H032CC01 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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