半導体レーザ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994233180
Publication number (International publication number)：1996097503
Application date： Sep. 28, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】チッ化ガリウム系化合物半導体を用いた青色発光に好適な半導体レーザにおいても、クラッド層による活性層への光の閉じ込め効果を充分に発揮するとともに、半導体層の直列抵抗を下げて低い動作電圧で動作し発光効率の高い半導体レーザを提供する。【構成】活性層5と、該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きく、かつ、屈折率が小さい材料からなるn型層およびp型層とを有し、前記活性層が前記n型層およびp型層により挟持されてなるダブルヘテロ接合構造の半導体レーザであって、前記n型層およびp型層はそれぞれ少なくとも2つの層からなり、該n型層およびp型層の前記活性層側に屈折率の小さい材料からなる低屈折率層4、6が設けられ、該n型層およびp型層の電流路の他の部分に前記低屈折率層より電気抵抗の小さい低抵抗層3、8が設けられている。

Claim (excerpt)：

活性層と、該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きく、かつ、屈折率が小さい材料からなるn型層およびp型層とを有し、前記活性層が前記n型層およびp型層により挟持されてなるダブルヘテロ接合構造の半導体レーザであって、前記n型層およびp型層はそれぞれ少なくとも2つの層からなり、該n型層およびp型層の前記活性層側に屈折率の小さい材料からなる低屈折率層が設けられ、該n型層およびp型層の電流路の他の部分に前記低屈折率層より電気抵抗の小さい低抵抗層が設けられてなる半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-079046 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-318275 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-170215 Applicant：日本ビクター株式会社

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