高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：栗原浩之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002179441
Publication number (International publication number)：2003105532
Application date： Jun. 20, 2002
Publication date： Apr. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】基本的にはDCマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。【解決手段】抵抗率が0.8〜10×10-3Ωcm程度の高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有し、且つ絶縁性酸化物を含有する。

Claim (excerpt)：

抵抗率が0.8〜10×10-3Ωcm程度の高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有し、且つ絶縁性酸化物を含有することを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット。

IPC (3)：

C23C 14/34 , C04B 35/495 , H01B 13/00 503

FI (3)：

C23C 14/34 A , H01B 13/00 503 B , C04B 35/00 J

F-Term (40)：

4G030AA06 , 4G030AA07 , 4G030AA08 , 4G030AA09 , 4G030AA10 , 4G030AA11 , 4G030AA12 , 4G030AA13 , 4G030AA14 , 4G030AA16 , 4G030AA17 , 4G030AA18 , 4G030AA19 , 4G030AA20 , 4G030AA21 , 4G030AA22 , 4G030AA23 , 4G030AA25 , 4G030AA27 , 4G030AA32 , 4G030AA34 , 4G030AA35 , 4G030AA36 , 4G030AA37 , 4G030AA39 , 4G030AA41 , 4G030BA02 , 4G030BA15 , 4G030GA04 , 4G030GA20 , 4G030GA25 , 4G030GA27 , 4K029BA45 , 4K029BC09 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 5G323BA02 , 5G323BB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

光透過膜、高抵抗透明導電膜、光透過膜形成用スパッタリングタ-ゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-005413 Applicant：株式会社ジャパンエナジー
透明導電積層体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-313386 Applicant：出光興産株式会社
金属酸化物焼結体およびその用途
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-289815 Applicant：ジオマテック株式会社, 東ソー株式会社

Show all

Return to Previous Page