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J-GLOBAL ID：200903094138051986

レチクル欠陥検査装置およびレチクル欠陥検査方法

Inventor：
土屋 英雄

About 土屋 英雄

, 
渡辺 利之

About 渡辺 利之


Applicant, Patent owner：
株式会社ニューフレアテクノロジー

About 株式会社ニューフレアテクノロジー


Agent (1)： 大阿久 敦子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009019905
Publication number (International publication number)：2009300426
Application date： Jan. 30, 2009
Publication date： Dec. 24, 2009
Summary：
【課題】製品レチクルにTDIセンサ撮像面積に比して充分な広さの黒領域及び白領域が存在しなくても、製品レチクルを用いてセンサアンプのオフセット及びゲインの調整が可能なレチクル欠陥検査方法及びレチクル欠陥検査装置を提供する。【解決手段】TDIセンサ11の各画素の出力がセンサアンプ15により増幅される。増幅された各画素の光量信号のボトム値が、オフセット/ゲイン調整手段16のボトム値記憶手段16aにより記憶され、ピーク値がピーク値記憶手段16bにより記憶される。各画素のボトム値に基づいて、オフセット算出手段16cにより各画素のオフセットが算出される。各画素のオフセットと、各画素のピーク値とに基づいて、ゲイン算出手段16dにより各画素のゲインが算出される。算出された各画素のオフセット及びゲインがレジスタ153に記憶されることで、センサアンプ15のオフセット及びゲインが調整される。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
画像センサをレチクルに対して相対的に移動させ、前記画像センサの各画素の出力をセンサアンプにより増幅して得られる光学画像と、前記光学画像に対する基準画像となる参照画像とを比較することで前記レチクルの欠陥検査を行う方法であって、 前記センサアンプは画素毎に信号振幅のゲイン及びオフセットを調整可能であり、 前記欠陥検査の前に、前記レチクルのパターンの一部を前記画像センサにより撮像し、前記センサアンプにより増幅された各画素の光量信号のボトム値及びピーク値を記憶するステップと、 記憶された各画素のボトム値に基づいて、前記センサアンプの各画素の信号振幅のオフセットを設定するステップと、 前記各画素の信号振幅のオフセットと、記憶された各画素のピーク値とに基づいて、前記センサアンプの各画素の信号振幅のゲインを設定するステップとを含むことを特徴とするレチクル欠陥検査方法。
IPC (3)：
G01N 21/956 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G01N21/956 A ,  G03F1/08 S ,  H01L21/30 502P
F-Term (15)：
2G051AA56 ,  2G051AB02 ,  2G051CA03 ,  2G051CB01 ,  2G051DA07 ,  2G051DA08 ,  2G051EA03 ,  2G051EA12 ,  2G051EA16 ,  2G051EA24 ,  2G051EB09 ,  2H095BD04 ,  2H095BD15 ,  2H095BD24 ,  2H095BD28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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