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J-GLOBAL ID:200903094172476414
化学増幅ポジ型レジスト材料
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小島 隆司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996104589
Publication number (International publication number):1997274319
Application date: Apr. 02, 1996
Publication date: Oct. 21, 1997
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成できる、微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト材料を得る。【解決手段】 (A)有機溶媒、(B)ベース樹脂として下記一般式(1)で示される重量平均分子量が2,000〜50,000である高分子化合物、(C)酸発生剤、(D)溶解制御剤として重量平均分子量が1,000を超え3,000以下で、かつ分子内にフェノール性水酸基を有する化合物の該フェノール性水酸基の水素原子を酸不安定基により全体として平均0%を超え60%以下の割合で部分置換した化合物を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料。
Claim (excerpt):
(A)有機溶剤(B)ベース樹脂として下記一般式(1)で示される重量平均分子量が2,000〜50,000である高分子化合物【化1】【化2】(C)酸発生剤(D)分子内にビニルエーテル基を2つ以上有する化合物を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
IPC (7):
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/029
, G03F 7/033
, G03F 7/075 511
, H01L 21/027
FI (7):
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/029
, G03F 7/033
, G03F 7/075 511
, H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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ポリシロキサン化合物及びポジ型レジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-270580
Applicant:信越化学工業株式会社
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ポジ型シリコーンレジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-187885
Applicant:日本電信電話株式会社
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酸感応ポリマおよびホトレジスト構造の作成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-210073
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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ポジ型レジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-294009
Applicant:日本電信電話株式会社
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特開昭63-101427
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