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J-GLOBAL ID：200903094276483684

電界効果型トランジスタ

Inventor：
米屋 伸英

About 米屋 伸英


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003323966
Publication number (International publication number)：2005093633
Application date： Sep. 17, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：
【課題】電気的異方性を有する有機半導体層から成るチャネル形成領域が高い電気導電性を示し得る構造を有する電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタは、ゲート電極12、ソース/ドレイン電極14、及び、ソース/ドレイン電極14間に設けられたチャネル形成領域16を備えており、該チャネル形成領域16は電気的異方性を有する有機半導体層15から成り、少なくとも、一方のソース/ドレイン電極14Aの縁部14aと対向する他方のソース/ドレイン電極14Bの縁部14bは直線ではない。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
ゲート電極、ソース/ドレイン電極、及び、ソース/ドレイン電極間に設けられたチャネル形成領域を備えた電界効果型トランジスタであって、 該チャネル形成領域は、電気的異方性を有する有機半導体層から成り、 少なくとも、一方のソース/ドレイン電極の縁部と対向する他方のソース/ドレイン電極の縁部は直線ではないことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2)：
H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (4)：
H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/28
F-Term (51)：
5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF24 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (7)
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