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J-GLOBAL ID：200903094286556493

縦型ゲート半導体装置およびその製造方法

Inventor：
溝口 修二

About 溝口 修二

, 
角田 一晃

About 角田 一晃


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005347998
Publication number (International publication number)：2006196876
Application date： Dec. 01, 2005
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：
【課題】ソース領域のコンタクト抵抗を増大させることなく、小型化を図ることができる縦型ゲート半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】トランジスタとして機能する第1領域11は、ドレイン領域111と、ドレイン領域111の上側に形成されたボディー領域112と、ボディー領域112の上側に形成されたソース領域113Aと、ボディー領域112に形成され且つゲート電極120が埋め込まれたトレンチとを有する。第2領域12に延在するボディー領域112の上側にソース領域113Bが形成されている。トレンチの上縁部を構成するソース領域113A, 113Bは丸みを帯びた形状で形成されている。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
ドレイン領域と、 前記ドレイン領域の上側に形成された第1のボディー領域と、 前記第1のボディ領域における一部の上側に形成された第2のボディ領域と、 前記第1のボディ領域における他部の上側に形成された第1のソース領域と、 前記第2のボディ領域の上側に形成され、前記第1のソース領域と電気的に接続される第2のソース領域と、 前記第1のソース領域、前記第2のソース領域、前記第1のボディ領域および前記第2のボディ領域に形成されたトレンチと、 前記トレンチ内に形成されたゲートとを備え、 前記第2のソース領域は前記第1のソース領域の電気的コンタクトとして機能し、前記第2のボディ領域は、前記第1のボディ領域の電気的コンタクトとして機能し、 前記トレンチの壁面のうちの上縁部は丸まった形状を有することを特徴とする縦型ゲート半導体装置。
IPC (6)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/866
FI (9)：
H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658F ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/90 D
F-Term (16)：
5F048AA01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BA06 ,  5F048BB06 ,  5F048BB19 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BF02 ,  5F048BF18 ,  5F048CB07 ,  5F048CC07 ,  5F048CC15 ,  5F048CC18 ,  5F048CC19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (2)

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