半導体加速度センサ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安藤淳二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002075901
Publication number (International publication number)：2003270263
Application date： Mar. 19, 2002
Publication date： Sep. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】線膨張係数の差に起因する熱応力がセンサチップに与える影響を緩和することにより、温度特性を向上させる半導体加速度センサを提供すること。【解決手段】半導体基板からなるフレーム11の内方に突設してピエゾ抵抗素子15を有する薄肉状の梁部12と、梁部12により吊り下げ支持された錘部14とからなるセンサチップ1と、支持部4を介してセンサチップ1の表面と所定の間隔を有してフレーム11に固着された上下ストッパ2,3とを備えた半導体加速度センサ。支持部4をフレーム11の四隅以外の部分と接合させるとともに、加速度センサの中心と隣り合う支持部4とのなす角が90°である半導体加速度センサ。

Claim (excerpt)：

半導体基板からなるフレームの内方に突設してピエゾ抵抗素子を有する薄肉状の梁部と、梁部により吊り下げ支持された錘部とからなるセンサチップと、支持部を介してセンサチップの表面と所定の間隔を有してフレームに固着された上下ストッパとを備えた半導体加速度センサにおいて、前記支持部をフレームの四隅以外の4箇所で接合させるとともに、加速度センサの中心と隣り合う支持部とのなす角が90°であることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (3)：

G01P 15/08 , G01P 15/12 , H01L 29/84

FI (3)：

G01P 15/12 D , H01L 29/84 A , G01P 15/08 P

F-Term (12)：

4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA36 , 4M112DA18 , 4M112EA12 , 4M112EA13 , 4M112EA14 , 4M112FA05 , 4M112FA07 , 4M112FA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-301176
半導体圧力センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-006512 Applicant：三菱電機株式会社
半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-159857 Applicant：日本航空電子工業株式会社

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