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J-GLOBAL ID：200903094522718246

接触型センサ内蔵半導体装置及びその製造方法

Inventor：
誉田 敏幸

About 誉田 敏幸


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002201384
Publication number (International publication number)：2004047623
Application date： Jul. 10, 2002
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：
【課題】本発明は、半導体素子と配線基板との接続部が保護された接触型センサ内蔵半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】接触型センサ内蔵半導体素子1は、回路形成面1aに形成されたセンサ領域1bと、センサ領域1b以外の領域に設けられたバンプ1cとを有する。半導体素子1のバンプ1cに接続されたフレキシブル基板2の端面は回路形成面1a上に位置する。保護樹脂部7が、フレキシブル基板2の端部から回路形成面1aまでの部分を覆うように設けられる。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
回路形成面に形成されたセンサ領域と、該センサ領域以外の領域に設けられた接続用電極とを有する接触型センサ内蔵半導体素子と、 端面が前記回路形成面上に位置するように、該半導体素子の接続用電極に接続された配線基板と、 前記配線基板の端部から前記回路形成面までの部分を覆うように設けられた保護樹脂部と を有することを特徴とする接触型センサ内蔵半導体装置。
IPC (1)：
H01L21/60
FI (1)：
H01L21/60 311S
F-Term (4)：
5F044KK03 ,  5F044LL09 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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