多層配線構造及びその形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅野中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998072290
Publication number (International publication number)：1999274296
Application date： Mar. 20, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】多層配線構造において、微細な配線間や複雑なパターン間に層間絶縁膜を完全に埋設し、膜厚の厚い、しかも平坦性に非常に優れる層間絶縁膜を形成する。【解決手段】第1の層間絶縁膜形成工程にて、塗布系の絶縁膜材料を微細な配線3,3間に塗布埋設して、第1の層間絶縁膜4を形成し、第2の層間絶縁膜形成工程にて、予めシート12にフィルム状に形成された絶縁膜11を第1の層間絶縁膜4上に圧着して、第1の層間絶縁膜4上に第2の層間絶縁膜11を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された微細な配線間、或いは複雑なパターン間を層間絶縁膜にて絶縁した多層配線構造であって、前記層間絶縁膜は、第1の層間絶縁膜と第2の層間絶縁膜との層構造からなり、前記第1の層間絶縁膜は、塗布系の絶縁膜材料から構成され、前記微細な配線間或いは複雑なパターン間に塗布埋設されたものであり、前記第2の層間絶縁膜は、フィルム状絶縁膜材料から構成され、前記第1の層間絶縁膜上に積層形成されたものであることを特徴とする多層配線構造。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/90 Q , H01L 21/316 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-099111 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-212945 Applicant：川崎製鉄株式会社
多層配線構成体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-077269 Applicant：東レ株式会社

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