半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002157830
Publication number (International publication number)：2003347316
Application date： May. 30, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 GaN系半導体層との界面の特性が優れた保護絶縁膜を形成し、それにより、電気的特性が安定した、信頼性が高い半導体装置を実現する。【解決手段】予め基板11上に堆積されたGaN系半導体層の表面部が酸化されてなる保護絶縁膜12Bが、GaN系半導体層のうち酸化されなかった部分よりなる活性領域12Aの上に形成されている。保護絶縁膜12Bは、活性領域12Aにおけるゲート電極13と各オーミック電極14との間の部分を覆っている。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されており、III 族窒化物半導体よりなる活性領域と、前記活性領域の上に形成された電極と、前記活性領域における前記電極の周辺部の上に形成されており、前記III 族窒化物半導体が酸化されてなる保護絶縁膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

F-Term (15)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GV05 , 5F102HA20 , 5F102HC01 , 5F102HC10 , 5F102HC11 , 5F102HC16 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

窒化物系III-V族化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-008201 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-196749 Applicant：日本電気株式会社
特開昭52-047377

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