化合物半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：高橋敬四郎 , 来山幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007206601
Publication number (International publication number)：2009043887
Application date： Aug. 08, 2007
Publication date： Feb. 26, 2009
Summary：

【課題】検知性能の向上が図られた赤外線検知素子の作製に適用可能な、化合物半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体装置の製造方法は、(a)半導体基板を準備する工程と、(b)半導体基板の上方に、分子線エピタキシにより、In、Al、及びGaから選択された材料と、As2分子と、さらにSbとのビームを同時照射することにより、InxAlyGa1-x-yAs(0≦x,y<1かつ0≦x+y<1)からなる中間層を形成する工程とを有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

(a)半導体基板を準備する工程と、 (b)前記半導体基板の上方に、分子線エピタキシにより、In、Al、及びGaから選択された材料と、As2分子と、さらにSbとのビームを同時照射することにより、InxAlyGa1-x-yAs(0≦x,y<1かつ0≦x+y<1)からなる第1の中間層を形成する工程とを有する化合物半導体装置の製造方法。

IPC (1)：

H01L 31/026

FI (1)：

H01L31/08 L

F-Term (7)：

5F088AA11 , 5F088AB07 , 5F088BA01 , 5F088CB03 , 5F088FA05 , 5F088GA03 , 5F088LA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

赤外線検知器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-068172 Applicant：富士通株式会社
半導体量子ドット構造及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-045172 Applicant：日本電信電話株式会社
化合物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-217896 Applicant：シャープ株式会社

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