反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003105340
Publication number (International publication number)：2004006798
Application date： Apr. 09, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】正確かつ迅速なマスクパターン検査を可能とする反射型マスク及びマスクブランクスを提供する。【解決手段】基板11上に、順に、極端紫外光領域を含む短波長域の露光光を反射する反射層12、マスクパターン形成時に該反射層12を保護するバッファー層13、及び露光光を吸収する吸収体層16を有してなり、この吸収体層16は極端紫外光領域を含む短波長域の露光光の吸収体からなる吸収体層14を下層とし、マスクパターンの検査に使用する検査光の吸収体からなる低反射層15を上層とした二層構造からなるマスクブランクスである。反射型マスク2は、このマスクブランクスにおける吸収体層16をパターン状に形成してなる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板上に、順に極端紫外線領域を含む短波長域の露光光を反射する反射層及び露光光を吸収する吸収体層を有してなるマスクブランクスであって、前記吸収体層が、極端紫外線領域を含む短波長域の露光光の吸収体で構成する吸収体層を下層とし、マスクパターンの検査に使用する検査光の吸収体で構成する低反射層を上層とした少なくとも二層構造であり、前記上層が、タンタル(Ta)とホウ素(B)と窒素(N)を含む材料からなり、TaとBとNの組成が、Bが5at%〜30at%であり、且つ、TaとNの組成比(Ta:N)が8:1〜2:7の範囲である事を特徴とする反射型マスクブランクス。

IPC (4)：

H01L21/027 , G03F1/14 , G03F1/16 , G03F7/20

FI (4)：

H01L21/30 531M , G03F1/14 B , G03F1/16 A , G03F7/20 503

F-Term (10)：

2H095BA10 , 2H095BC27 , 2H097CA15 , 2H097GB00 , 2H097LA10 , 5F046GA03 , 5F046GD07 , 5F046GD10 , 5F046GD11 , 5F046GD16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

反射型露光マスク、反射型露光マスクの製造方法、及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-043720 Applicant：沖電気工業株式会社
反射型露光マスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-048654 Applicant：沖電気工業株式会社, 株式会社日立製作所, 富士通株式会社
特開平1-175736

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Cited by examiner (7)

反射型露光マスク、反射型露光マスクの製造方法、及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-043720 Applicant：沖電気工業株式会社
反射型露光マスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-048654 Applicant：沖電気工業株式会社, 株式会社日立製作所, 富士通株式会社
特開平1-175736

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