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J-GLOBAL ID：200903095065077481

窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法

Inventor：
加藤 久喜

About 加藤 久喜

, 
小出 典克

About 小出 典克

, 
浅見 慎也

About 浅見 慎也

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渡辺 大志

About 渡辺 大志


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998036620
Publication number (International publication number)：1999220169
Application date： Feb. 02, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】従来のダブルヘテロ型のLEDは、GaInN活性層中のInモル分率を減少させることにより発光波長を紫外に近づけると発光出力が減少する。【解決手段】GaInN活性層よりも下に、ピットを持つ歪み緩和層を設け、その層の上にGaInN活性層を積層させることにした。これにより、GaInN活性層内に局所的に歪みの強弱ができるようになり、Inモル分率が低いほど発生し易かったGaInN活性層内の歪みが緩和されるようになった。このため、Inのモル分率を減少させても、発光に直接寄与する電子の局在準位が形成されにくくならず、発光出力が維持できるようになった。また、歪み緩和層に不純物を添加することで歪み緩和層に電気伝導性を付与して、ピットの先端に静電気による高電界が形成されるのを防いだ。これにより、活性層における絶縁破壊を防止し、LEDの寿命が維持できるようにした。
Claim (excerpt)：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層された発光素子において、光を放出する活性層を含む前記基板から前記活性層までの少なくとも一つの層に、前記基板上に成長する層の結晶構造上の歪みを緩和するためのピットが形成された歪み緩和層を設けたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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