半導体装置の製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000005866
Publication number (International publication number)：2001196337
Application date： Jan. 07, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】基板外周表面の研磨加工特性が不均一となる、いわゆる縁だれを起こすことを解消する。【解決手段】基板裏面を保持しながら表面に形成された薄膜を研磨する際に、基板周縁端部における局所的な応力を、基板周囲に設けられたガイドにより低減する。又、ガイドに設けられた凹状溝により基板周縁端部の変形を低減する。【効果】基板外周表面の加工特性の不均一性の発生を防ぎ、いわゆる縁だれを起こすことなく、基板表面上に形成された薄膜を基板全域に渡って平坦に研磨加工できるので、高性能な半導体装置を高い歩留まりで安価に製造できる。

Claim (excerpt)：

表面に薄膜を有する基板を準備する工程と、前記基板裏面を、研磨装置に設けられた基板保持用のキャリアで保持する工程と、前記基板を保持したまま、前記研磨装置に設けられた研磨部材に押しつけながら前記キャリアと一体にして回転させたとき、前記基板と前記被研磨部材との相対運動で生じる摩擦力により前記基板が前記キャリアから離脱するのを防止するために前記基板を囲んで設けられたガイドに、前記基板が押しつけられて生ずる前記基板への反力が分散されるように研磨する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/04

FI (2)：

H01L 21/304 622 G , B24B 37/04 E

F-Term (14)：

3C058AA04 , 3C058AA09 , 3C058AA12 , 3C058AB04 , 3C058AC04 , 3C058BA01 , 3C058BA05 , 3C058BA07 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

ポリッシング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-105253 Applicant：株式会社荏原製作所
半導体素子の製造方法及びそのための装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-028224 Applicant：沖電気工業株式会社
ウェーハ研磨装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-084115 Applicant：株式会社東京精密

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Cited by examiner (3)

ポリッシング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-105253 Applicant：株式会社荏原製作所
半導体素子の製造方法及びそのための装置
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ウェーハ研磨装置
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